超高亮度发光二极管及其制备方法 CN201210287977.7

本发明公开了一种超高亮度发光二极管及其制备方法，其解决了上述AlInGaP四元系LED结构中亮度与电性难以同时兼顾的问题。一种超高亮度发光二极管，包括：导电基板，其具有两个主表面；反射层，形成于所述导电基板的第一主表面上；p-GaP窗口层，形成于所述反射层之上，其厚度小于或等2um；p型限制层，形成于所述p-GaP窗口层之上；发光层，形成于所述p型限制层之上；n型限制层，形成于所述发光层之上；n电极，形成于所述n型限制层之上；p电极，形成于所述导电基板的第二主表面上。
专利类型：发明
专利号：201210287977.7
专利申请日：2012.08.14
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.14
分类号：
申请（专利权）人：天津三安光电有限公司
发明（设计）人：戴菁甫;张君逸;界晓菲
国别省市：天津;12