倒装发光二极管及其制备方法 CN201210285739.2

本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，通过分别在生长衬底的两面进行外延生长n型氮化镓基半导体层和氮化镓基发光外延叠层，利用晶圆键合技术或电镀技术将氮化镓基发光外延叠层黏结到半导体或金属基板上，以n型氮化镓基半导体层为出光面，并在其上制作光萃取结构，从而提高倒装发光二极管的取光效率、散热功能及产品良率。
专利类型：发明
专利号：201210285739.2
专利申请日：2012.08.13
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.14
分类号：
申请（专利权）人：厦门市三安光电科技有限公司
发明（设计）人：吴厚润
国别省市：福建;35

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