一种单晶硅片湿法刻蚀后不良片制作太阳能电池的方法 CN201310749487.9

本发明公开了一种单晶硅片湿法刻蚀后不良片制作太阳能电池的方法，A、将刻蚀后的不良片用5%-10%的盐酸和5%-10%的氢氟酸按照体积比1:1-1.5混合制成的酸溶液在温度为25℃-30℃的酸洗2-5分钟后，再放入去离子水中清洗2-10分钟后，在40-60℃下烘干；B、将清洗后的硅片在扩散炉中进行变温扩散：先将温度升到700℃，稳定2-5分钟，再将温度升到800~850℃，通源5-10分钟、流量700-900sccm；C、将扩散后的硅片再进行碱制绒、扩散制结、湿法刻蚀及去磷硅玻璃、镀减反射膜和丝网印刷。采用本发明的方法对刻蚀后不良片进行处理，成品电池的良品率在89%-94%，电池的平均光电转换效率与正常硅片生产的成品电池相同，降低了晶体硅片的报废率，大大节约了生产成本。
专利类型：发明
专利号：201310749487.9
专利申请日：2013.12.31
公开（公告）日：2014.04.09
申请（专利权）人：巨力新能源股份有限公司
发明（设计）人：杨建国;周莹;殷国安;张东;郑会刚;田娜
国别省市：河北;13