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一种选择性发射极太阳能电池的制造方法 CN201410360118.5
本发明提供一种选择性发射极太阳能电池的制造方法,该方法包括损伤层去除,两步重扩散,正面电极沟槽蚀刻,正面电极填充的烧结,反蚀形成高掺杂区和低掺杂区,该正面电极包括侧壁电极片、以折线方式延伸的嵌入电极片、主电极条。该方法制备的选择性发射极太阳能电池能够在整体上提高光吸收效率,光生载流子收集效率,避免表面死层现象,同时能够平衡短路电流和开路电压,提高电池填充率。 专利类型:发明 专利号:201410360118.5 专利申请日:2014.07.28 公开(公告)日:2014.10.08 申请(专利权)人:六安市大宇高分子材料有限公司 发明(设计)人:司红康;马梅;谢发忠 国别省市:安徽;34
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