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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术55
002 引线框架及其制造方法和使用引线框架的半导体器件 003 半导体器件及其制造方法 004 具有Cu互连的半导体器件及其制造方法 005 ESD保护电路元件 006 ESD保护元件结构 007 半导体器件 008 半导体芯片、半导体晶片及半导体装置及其制造方法 009 半导体器件 010 半导体装置以及搭载该装置的IC卡 011 具有侧栅叠层的SONOS存储器件及其制造方法 012 适合形成有涂层的导电膜如铂的半导体器件及其制造方法 013 非易失半导体存储装置及其制造方法 014 存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法 015 半导体器件及其制造方法 016 包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法 017 半导体存储器 018 半导体器件 019 大规模光电集成RCE探测器面阵器件 020 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 021 用于制造半导体器件的工艺和半导体器件 022 互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法 023 具有双重自动曝光控制的图像传感器 024 线性图像传感器 025 有机发光二极体显示器及其制造方法 026 电力半导体器件 027 横向晶体管 028 半导体装置 029 半导体装置及其制造方法 030 在源和漏区下面具有缓冲区的金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制造方法 031 半导体器件及其制造方法 032 晶体管及其制造方法、电光装置、半导体器件及电子设备 033 半导体器件 034 光电耦合半导体器件及其制造方法 035 降低外界光线反射的有机发光二极体及其制程 036 具有电压/电阻相依层的发光器件 037 制造高效半导体器件的方法 038 半导体发光器件及其制造方法 039 发光器件 040 具有量子阱的光学器件 041 制造第三族氮化物衬底的方法 042 光场均匀且边界轮廓分明的基于发光二极管的光源 043 聚合物有机发光二极管 044 预防晶圆重复沉积的方法 045 半导体器件的制造方法 046 半导体装置及其制造方法、半导体晶片、电路基板及电子机器 047 等离子体处理装置、环形部件和等离子体处理方法 048 多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法 049 硅与硅真空键合装置及键合方法 050 改善光阻平整度的方法与沟槽电容的下电极的制造方法 051 阳极化设备,阳极化系统,及基体处理设备和方法 052 半导体集成电路器件的制造方法 053 半导体器件的制造方法 054 半导体集成电路器件的制造方法 055 化学机械研磨垫 056 重复利用衬底的方法 057 半导体集成电路器件的制造方法 058 半导体芯片封装结构及其制造方法 059 半导体封装件及其制法 060 半导体芯片封装结构及工序 061 影像感测器制造方法 062 芯片运送体用垫及其制造方法 063 电子元件模块和电磁可读数据载体的制造方法 064 缺陷检测参数分析方法 065 封装后测试参数分析方法 066 在线品质检测参数分析方法 067 半导体集成电路器件的制造方法 068 双槽隔离的交叉存储器阵列及其制造方法 069 在镶嵌结构中形成阻障层的方法 070 形成双镶嵌结构的方法 071 集成电路的拓扑验证方法 072 集成电路设计、验证与测试一体化的技术方法 073 于衬底上制造集成电路的方法 074 集成电路的布图设计装置、布图设计方法及布图设计程序 075 集成电路的布图设计装置、布图设计方法及布图设计程序 076 半导体集成电路器件的时钟延迟调节方法 077 具有自行对准接触窗的存储器元件的制造方法及结构 078 半导体元件的制造方法 079 罩幕式只读存储器的制造方法及其结构 080 闪存的制造方法 081 薄膜电晶体的制造方法 082 绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件 083 半导体器件 084 电子部件的安装体及其制造方法 085 具有多层互连结构的半导体器件 086 可收集制程碎屑与释放静电的导电地垫 087 静电放电保护电路 088 半导体装置 089 电子部件封装构件及其制造方法 090 半导体集成电路器件 091 预防自对准金属硅化物桥接的半导体结构及其方法 092 闪存元件的结构及其制造方法 093 非易失性存储单元及其制造方法 094 半导体存储器件,显示器件,以及便携式电子装置 095 一种闪存单元及其操作方法 096 电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法 097 半导体装置及其制造方法 098 增加有机发光二极管可读对比度的制造方法 099 半导体装置及其制造方法 100 薄膜晶体管及其制造方法 101 氮化碳/碳纳米管纳米二极管的制备方法及应用 102 一种用于聚合物光伏打电池的光敏薄膜及其制备方法 103 提高半导体光电转换器件性能的方法 104 发光二极管封装结构及其方法 105 发光二极管的封装装置 106 发光二极管组件及其制造方法 107 电子发光器件的制造方法 108 粉红光发光二极管 109 半导体发光元件 110 半导体发光装置 111 铽-镝-铁磁致伸缩材料以及利用这些材料的器件 112 具缓冲层结构的有机发光二极管及其制作方法 113 使用单一光罩于多重蚀刻步骤的微影制程 114 光掩模、使用该光掩模的图案形成方法及光掩模数据制作方法 115 适用于InN-GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法 116 亚纳米复合法制备氧化锌基磁性半导体材料的方法 117 形成动态准中性束方式减少各种粒子束与目标物作用时的电子激发能损的方法 118 制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法 119 半导体结构的制造方法 120 半导体器件 121 低介电常数介电质层的蚀刻方法 122 电抛光半导体器件上金属互连的装置 123 隧道结器件中隧道阻挡层的紫外光处理 124 双栅极场效应晶体管及其制造方法 125 LSI封装及其装配方法 126 半导体器件使用的粘接带 127 半导体器件及其构建方法 128 充电损伤评价用半导体器件和充电损伤评价方法 129 检查安装电子器件的薄膜载带的设备和方法 130 在内连接系统中的电容器以及其制作方法 131 半导体装置的制造方法 132 半导体装置的制造方法 133 电子器件的制造方法 134 多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法 135 集成电路设计的双向技术系统 136 双极型集成电路设计的有效验证和电网络一致性比较方法 137 用去耦合电容实现集成电路供电网络噪声优化的快速方法 138 双极型集成电路设计中的版图/电路提取方法 139 封装基板和倒装型半导体器件 140 半导体装置及其制造方法 141 半导体器件及其制造方法 142 半导体器件 143 半导体器件 144 开关电路装置 145 半导体器件及其驱动方法 146 半导体装置及其制造方法 147 半导体集成电路器件 148 固体摄像装置及制造方法、行间传输型CCD成像传感器 149 一种非对称栅场效应晶体管 150 半导体器件及其制造方法 151 半导体装置 152 半导体装置 153 一种厚膜SOI场效应晶体管 154 薄膜晶体管衬底及其制造方法 155 具模组化吸光板的太阳能电池及其制法 156 半导体发光装置及其制造方法和电子图像拾取装置 157 半导体发光元件 158 发光装置 159 氮化物半导体元件 160 有机发光二极管姆庾胺椒?lt;BR>161 用于把硅片从多盒站装载及卸入炉子的装置 162 用于蚀刻有机低K材料的特殊化学工艺 163 通过利用原子氧氧化提高栅极活性的方法 164 降低表面粗糙度的方法 165 自对准紧凑双极型结式晶体管布局及其制造方法 166 金属离子扩散阻挡层 167 集成电路制造中用于电解电镀和无电电镀金属的表面处理装置和方法 168 具有集成器件的微电子衬底 169 带有多指接通用同步和分布式自偏压功能的静电放电(ESD)保护装置 170 产生高性能有机半导体器件的方法 171 一种射频功率LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管 172 半导体器件 173 具有ESD保护的齐纳二极管的DMOS 174 发光元件及其制造方法 175 压电陶瓷弯曲变换器 176 用于有机发光装置的透明载体 177 具有整体屏蔽罩的基座 178 释放的声学探测及其装置 179 在半导体器件的夹断的有源区中改善二硅化钛的电阻 180 蚀刻用的高压无晶片自动清洗 181 新型动态随机存取存储器存取晶体管 182 制造无引线的多模具承载体用的结构和方法 183 集成电路元件及其制造方法和承载集成电路元件的信息载体及其制造方法 184 半导体装置和形成半导体装置的方法 185 低电压穿通双向瞬态电压抑制器件以及制作该器件的方法 186 沟槽肖特基整流器 187 具有防止基区穿通的横向延伸基区屏蔽区的功率半导体器件及其制造方法 188 同轴式挠性压电体电缆的极化装置、极化方法、缺陷检测装置和缺陷检测方法 189 器件的图案形成 190 光电子器件集成 191 光电子器件集成 192 半导体材料的膜或层、及制造该膜或层的方法 193 制备低介电膜的方法 194 一种制造具有高k栅极电介质的半导体器件的方法 195 电镀过程的控制方法及装置 196 碳化硅的等离子体刻蚀 197 形成最小间隔磁随机存取存储器结构的改进方法 198 使用波动焊接工艺固定母板芯片组散热器 199 具有用于改善可靠性和雪崩耐受性的结合的二极管的高压SOI LDMOS器件 200 用于单质和异质双极型结式晶体管的超自对准集电极器件及其制造方法 201 TFT基板、使用它的液晶显示装置及其制造方法 202 碳化硅肖特基势垒二极管及其制作方法 203 发光元件驱动装置及具备发光元件的电子仪器 204 有机半导体器件的制造方法 205 制作无滑移的晶片架的装置和方法 206 用于CVD的平滑多部分衬底支撑部件 207 富铑的氧隔绝层 208 干蚀刻方法 209 氧化膜形成方法 210 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法 211 由二种旋涂式介电材料组成的混合式低K互连结构 212 延长用于芯片和衬底连接的C4焊球的疲劳寿命 213 防止多晶微米级功能部件之间桥接的方法 214 半导体器件的制造方法 215 铁电内存胞元之制造方法 216 低外形集成模块互连 217 用于局部照明的高功率LED模块 218 闸流体结构及具此闸流体结构之过电压保护装置 219 半导体结构及改善其ESD与过负荷强度之方法
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