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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术39
002 单芯片系统组件的制造方法 003 非易失性存储器元件的操作方法 004 半导体集成电路的制造方法及半导体集成电路 005 可改善讯号品质的IC封装元件 006 显示元件的封装构造 007 半导体器件 008 内导式气流能量传输的方法与装置 009 芯片封装及其制造方法 010 芯片封装及其制造方法 011 配线构造及制造方法、带配线构造的半导体装置及配线基板 012 半导体装置及其制造方法、电路板和电子仪器 013 半导体用引线架 014 半导体器件及其制造方法 015 电平移动电路 016 具动态起始电压的CMOS架构 017 静态随机存取存储单元的布置及其器件 018 垂直式只读存储器及其工艺 019 半导体器件的制造方法以及使用SOI基片的半导体芯片 020 影像感测器及其封装方法 021 异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件 022 双重扩散型MOSFET及其半导体装置 023 用于薄膜晶体管的多晶硅薄膜及使用该多晶硅薄膜的显示器件 024 包括多孔半导体层的光电池、其生产方法和太阳能电池 025 具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管及其制造方法 026 半导体发光元件及其制造方法 027 半导体发光器件及其制造方法 028 具有隐藏式热电偶支脚的热电堆红外线元件及其制造方法 029 一种靠人体热能发电的温差电池 030 超导技术的断路器 031 叠层型压电陶瓷元件的制造方法 032 一种磁敏电阻金属薄膜 033 新型硅压阻式压力感测元件及其制造方法 034 有机薄膜晶体管 035 有机半导体元件 036 压力控制方法 037 后化学-机械平面化(CMP)清洗组合物 038 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料 039 一种制造功率MOS场效应管的方法 040 用以检测浮渣/封闭接触孔和线路的CD-SEM信号分析 041 半导体器件,用于在半导体上制造电路的金属叠层板和制造电路的方法 042 新型芯片互连件以及封装沉积方法与结构 043 具有窗口盖的、无引线的半导体产品封装装置及其封装方法 044 集成电路封装 045 在集成电路封装件里对信息进行编码的方法和装置 046 集成电路的防窜改封装 047 集成在半导体上的存储单元结构 048 具有改良电流分散结构的可扩展发光二极管 049 具有减少极化感应电荷的高效能发光器 050 局部改变晶体材料的电子和光电性能的方法以及由这种材料制造的器件 051 电子器件 052 衬底处理装置和衬底处理方法 053 氮化镓晶体的制造方法 054 半导体器件以及半导体器件的制造方法 055 去除多晶硅残留的方法 056 去除多晶硅残留的方法 057 降低栅极堆栈层氧化侵蚀的方法 058 以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法 059 晶片保护装置 060 具有改良局部平整度的半导体圆片及其制造方法 061 基板干燥方法和装置 062 半导体基板的化学机械抛光方法和化学机械抛光用水分散液 063 半导体衬底的化学溶液处理装置 064 自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法 065 提高起始电压稳定性的金属氧化物半导体的制作方法 066 加强散热式晶片嵌入朝下球型阵列载板结构及制造方法 067 QFN型影像感测元件构装方法及其结构 068 固定芯片载体的方法 069 倒装片型半导体器件及其制造方法 070 闪存隧穿氧化层的测试元件及方法 071 碲镉汞材料p-n结结深的测量方法 072 部分自行对准接触窗的制造方法 073 闪存的制造方法 074 存储器元件的制造方法 075 半导体装置及其制造方法和印刷掩膜 076 半导体器件 077 无焊线式半导体装置及其封装方法 078 无焊线式半导体装置及其封装方法 079 半导体装置 080 双镶嵌金属内连线结构及其制作方法 081 半导体器件及其制造方法 082 集成电路的阻断电路 083 半导体装置以及包含该装置的光电装置 084 基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列 085 闪存元件的结构及其制造方法 086 使用垂直沟道晶体管的半导体存储器件 087 强电介质半导体存储器 088 采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列 089 SOI型半导体装置及其制造方法 090 多端子型MOS可变电容器 091 真空层压设备 092 白色发光二极管的制造方法 093 一种高功率的发光二极管封装方法 094 采用多路线性激光束通过热转移制造发光二极管器件 095 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法 096 MOSFET器件系统和方法 097 微粒子配置薄膜、导电连接薄膜、导电连接构造体以及微粒子的配置方法 098 半导体器件检测系统 099 非易失性存储装置及其驱动方法 100 具有晕圈源极/漏极扩散的芯片上的无晕圈非整流接触 101 发射辐射的半导体器件,其制造方法及发射辐射的光学器件 102 电活化装置 103 制造半导体基质的方法 104 成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法 105 半导体器件及其制造方法 106 绝缘膜的制造装置 107 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置 108 高压元件的制造方法 109 低栅极空乏现象的MOS晶体管的制作方法 110 制作浅结MOS晶体管的方法 111 校准引线接合器的方法 112 当用引线接合器接合时确定最优接合参数的方法 113 晶片级的测试及凸点工艺、以及具有测试垫的芯片结构 114 LSI系统设计方法 115 非挥发性内存的结构及其制造方法 116 选择性局部自行对准硅化物的制作方法 117 影像感测器的制作方法 118 半导体装置的制造方法 119 强感应体薄膜元件及制造方法、薄膜电容器及压电调节器 120 非挥发性内存的制造方法 121 散热组件及散热组件固定装置 122 接合垫的构造及其制造方法 123 半导体装置及其制造方法 124 非门控二极管元件的静电放电防护电路及其制造方法 125 线性电流/电压特性的金属氧化物半导体输出驱动电路 126 减少化学机械研磨工艺缺陷的电路布局及其制造方法 127 半导体装置 128 可提高位线耐压的非易失性半导体存储器 129 半导体存储装置 130 罩幕式只读存储器的测试元件及方法 131 半导体存储设备 132 光半导体集成电路装置及其制造方法 133 一种半导体器件及其制造方法 134 有机发光二极管显示器电极引线的布设结构 135 有机发光二极管器件及其制造方法 136 半导体元件结构 137 半导体装置和半导体装置的制造方法 138 半导体装置和制造半导体装置的方法 139 半导体发光元件及其制造方法 140 叠层式压电致动器 141 形成方法以及包含增强表面面积导电层的集成电路结构 142 形成方法以及包含钌和包含钨层的集成电路结构 143 氮化镓层的制备方法 144 硅-双极型晶体管,电路设置和制造硅-双极型晶体管的方法 145 制造半导体器件的方法及其半导体器件 146 电子器件的封装方法及电子器件封装体 147 制备衬底的方法以及使用该方法获得的衬底 148 半导体芯片和使用了该半导体芯片的半导体器件 149 具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 150 半导体器件及其制造方法 151 具有可取下的顶层的太阳能电池单元 152 使用LED的光源装置及其制造方法 153 Ⅲ族氮化合物半导体器件 154 具有高载子迁移率芯片的制造方法 155 半导体制造系统 156 半导体元件微细图形的形成方法 157 在半导体Si基片上沉积纳米Cu颗粒膜的高压电化学方法 158 半导体集成电路器件的制造方法 159 衬底的制造方法和制造设备 160 一种去除停止层的方法 161 利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法 162 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法 163 一种半导体芯片封装方法及其封装结构 164 半导体集成电路器件的制造方法 165 半导体器件及其制造方法 166 半导体器件及其制造方法 167 半导体器件和半导体存储器件的检测方法 168 具有五氧化二钽介电层的电容器制造方法 169 消除浅沟槽隔离中的边沟的方法 170 具掺杂的铜内联结构的制造方法 171 半导体布线形成方法及装置、器件制造方法及装置和晶片 172 一种快速存储器的浮置栅制造方法及其结构 173 分离栅极式快速存储器的制造方法及结构 174 用于内嵌式存储器逻辑电路三维空间元件结构及制作方法 175 应力释放的图案组合结构 176 用于放置光学晶片的表面粘着式聚光杯结构 177 半导体器件 178 高效能散热片及其制作方法 179 半导体导线架及其封装组件 180 半导体基底上的接合垫结构 181 半导体基底上的金属垫的结构 182 半导体集成电路器件 183 适用在高频和模拟中承受高电压的静电放电电路 184 一种二极管结构及其静电放电防护电路 185 静电泄放保护电路 186 半导体存储器件 187 铁电电容元件 188 有源选址前置彩色膜有机白光二极管彩色显示器 189 半导体装置 190 具有超薄的应变矽通道的金氧半导体场效晶体管及其制作方法 191 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件 192 X光平面检测器 193 薄膜光光上转换图象显示装置及制备方法 194 光通信电路芯片,光电共用传输装置,光传送装置 195 具有单面裸露电极的二极管 196 半导体发光元件 197 微探针制造方法 198 设有夹头及匹配箱的装置 199 固体有机金属化合物用填充容器和其填充方法 200 莲蓬头式气体供应器及具有莲蓬头式气体供应器的半导体装置制造设备 201 嵌入式动态随机存取内存的整合自行对准金属硅化物闸极的制造方法 202 研磨剂分布系统及应用此分布系统的化学机械研磨设备 203 等离子体处理方法及装置 204 感应耦合型等离子体刻蚀装置中使用的气体扩散板 205 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法 206 含碳介电层的制造方法 207 在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法 208 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置 209 热处理硅晶片的方法及用该方法制造的硅晶片 210 汲极内具有缺陷区的静电放电保护结构及其制造方法 211 制作金氧半导体晶体管的方法 212 晶片级封装的结构及其制作方法 213 封装的半导体器件及其形成方法 214 芯片拾取装置及其制造方法以及半导体制造装置 215 太阳电池封装胶层厚度可控的连续滴胶方法 216 塑胶壳电磁器件封装方法 217 可避免氟化半导体元件的金属接点的方法 218 平顶金凸块的制程方法 219 半导体封装元件测试装置
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