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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术44
002 螺旋电感内含垂直电容的结构 003 采用碳纳米管的存储器件及其制造方法 004 非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法 005 无接触区形成于存储单元区的分栅快闪存储单元阵列结构 006 紫外线程序化的P型罩幕式只读存储器及其制造方法 007 半导体装置 008 形成半导体存储器阵列的方法及由此制造的存储器阵列 009 半导体器件及其制法、SOI衬底及其制法和其显示器件 010 半导体装置及其制造方法 011 影像传感器封装结构及应用该影像传感器的影像撷取模块 012 半导体器件及其制造方法和功率放大器模块 013 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法 014 具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法 015 SOI金氧半场效电晶体 016 一种新的栅介质堆层结构 017 一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构 018 半导体器件和半导体器件的制造方法 019 半导体元件及使用该半导体元件的显示器件 020 应用于MOS场效应管的栅电介质材料铝酸锆薄膜及其制法 021 应用于MOS场效应管的栅电介质材料氮铝酸锆薄膜及制法 022 薄膜晶体管 023 用于太阳能电池模块的终端盒装置 024 复合太阳能电池组 025 半导体显示器件 026 制显示器的方法和装置与该方法所用基片和显示器 027 半导体发光元件及其制造方法 028 温度检测元件以及装备它的电路基板 029 压电变压器器件、压电变压器外壳及其制造方法 030 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺 031 一种提高霍尔器件抗静电击穿能力的方法 032 一种减小霍尔器件失调电压的方法 033 制造适合于图象传感器的半导体装置的方法 034 外延涂覆半导体晶片的方法及装置、以及外延涂覆的半导体晶片 035 多层式电介质抗反射层及其形成方法 036 用于测量多层重叠对准精确度的重叠游标图案及测量方法 037 成膜方法及使用该方法制造的器件、和器件的制造方法 038 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 039 半导体制造装置、半导体制造系统和衬底处理方法 040 功率半导体装置的闸极垫保护结构及其制造方法 041 凸块及胶料层制造方法 042 单片式芯片清洗装置 043 清洗等离子加工装置的方法 044 电浆处理装置 045 低顺向电压降肖特基屏蔽二极管及其制造方法 046 一种晶圆型态封装及其制作方法 047 离散式电路元件的制作方法 048 微电子电路的空腔型封装方法 049 多重金属层内连线结构及测试金属层间介电层强度的方法 050 探测装置，半导体装置的检验装置及检验方法 051 半导体器件和提供低衬底电容区域的方法 052 浅沟隔离半导体及其制造 053 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法 054 半导体集成电路 055 半导体器件及其制造方法 056 增加耦合率的快闪存储器制造方法 057 用于集成电路芯片的冷却系统 058 带有蛇形缝隙式散热片的散热设备 059 半导体器件及其制造方法 060 具有非氧化铜线的半导体封装 061 芯片比例封装及其制造方法 062 芯片比例封装及其制造方法 063 芯片比例封装及其制造方法 064 半导体装置及其制造方法 065 半导体器件及其制造方法以及相移掩膜 066 静电放电防护电路 067 静电放电防护电路 068 轻薄叠层封装半导体器件及其制造工艺 069 半导体器件及其制作方法 070 半导体器件及其制造方法 071 半导体装置及其制造方法 072 半导体器件及其制造方法 073 半导体器件 074 具有保护二极管的氮化硅只读存储器结构及其操作方法 075 非挥发性内存及其制造方法 076 集成电路器件的安装构造和安装方法 077 半导体器件及其制造方法 078 具位於主动胞元阵列外的屏蔽电极和较小闸极-汲极电容的电晶体排列 079 顶栅型薄膜晶体管 080 结势垒控制肖特基二极管终端及方法 081 ZnMgSSe系正-本-负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管 082 光发电装置及其制造方法 083 光电器件及光电器件的制造方法 084 极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件及制法 085 一种向四周发光均匀的发光二极管 086 半导体发光芯片及半导体发光器件 087 半导体发光装置 088 薄膜压电元件及其制造方法和使用该压电元件的执行元件 089 一种非对称驱动型压电陶瓷变压器 090 一种酞菁薄膜的制备方法 091 半导体片表面修整的方法 092 用硅质材料封埋微细沟的方法和带硅质膜的衬底材料 093 晶片背面的晶粒黏接材料的预先使用方法及封装组件 094 将散热片夹紧在电路板的处理器上 095 半导体器件及其制造方法 096 具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管 097 彩色太阳能电池单元 098 第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法 099 用于测量装置的压电陶瓷多层元件及其制造方法 100 对基体进行热处理 101 微电子装置制造中用于有机聚合物电介质的硬面层的有机硅酸盐树脂 102 功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法 103 辐射源和用于制造透镜模的方法 104 带有多个发光二极管芯片的元件 105 在半导体衬底上制造无源元件的方法 106 硅内沟道结构底部的厚氧化层 107 功率MOSFET及其形成和工作方法 108 薄膜结构体的制造方法 109 将金属接点沉积在埋栅太阳能电池上的方法及由该方法获得的太阳能电池 110 半导体发光器件及其制造工艺 111 半导体芯片及其制造方法 112 解决与蚀刻沟道过程有关的光学边缘效应的器件与方法 113 用于有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后由氢进行的光刻胶剥离 114 半导体基板上形成前金属电介质薄膜的方法 115 具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物 116 施行最后临界尺寸控制的方法及装置 117 在有机硅酸盐玻璃中腐蚀双波纹结构的方法 118 在具有双层位线的硅绝缘体(SOI)衬底上构造的DRAM 119 发动机驱动发电机的整流器组件中二极管部件的制造方法 120 半导体集成电路器件 121 包括可焊热界面的电子组件及其制造方法 122 塑料封装基底、气腔型封装及其制造方法 123 RC定时器方案 124 半导体器件及其制造方法 125 半导体集成电路器件及其制造方法 126 带放大栅极氧化物完整结构的半导体沟槽器件 127 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构... 128 处理装置运转的监视方法 129 磁控管等离子体用磁场发生装置、使用该磁场发生装置的等离子体蚀刻装置和方法 130 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法... 131 改进的氟掺杂二氧化硅薄膜 132 改进的倒装芯片连接封装 133 成形弹簧以及制造和使用成形弹簧的方法 134 平面混合式二极管整流桥 135 自旋偏振载流子转移的方法和设备 136 基片处理装置及处理方法 137 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺 138 用于输入/输出的球限定冶金结构及其制造方法 139 耐振动冲击的散热器组件 140 电子元件及其制造方法 141 存储单元,存储单元装置和制造方法 142 薄膜结构体及其制法以及加速传感器及其制法 143 产生辐射的半导体芯片和发光二极管 144 包括-需要电极化的鹊缥镏什愕娜仁痛?衅鞯闹圃旆椒?lt;BR>145 用于FIMS系统的装箱接口设备 146 薄膜半导体器件及其制造方法 147 半导体薄膜及半导体装置的制造方法、半导体装置、集成电路、电光学装置及电子... 148 具有可移动的百叶窗挡板的反应器 149 高速低功率半导体存储器结构 150 散热片及其制造方法 151 集成芯体微电子封装 152 半导体器件及其制造方法 153 电源模块及空调机 154 有机电致发光装置及其制造方法 155 电致发光装置 156 集成电路 157 模拟?数字混装集成电路 158 贴合晶片的制造方法 159 固体成像器件的制造方法 160 使用LED的发光装置 161 制造高温超导体的方法 162 清洗方法和腐蚀方法 163 等离子体处理装置及排气环 164 布线方法和利用该方法的器件布置方法、以及图象显示装置的制造方法 165 贴合基板的制造方法 166 在碳化硅中制造双极结晶体管的方法和得到的器件 167 使用LED芯片的发光装置 168 显示装置及其制造方法 169 包含一个有低硫酸根和高金属离子含量的导电透明聚合物层的发光二极管(LED... 170 成像特性的测量方法和曝光方法 171 一种薄膜晶体管的制造方法 172 一种自动对准光屏蔽层的薄膜晶体管 173 半导体器件的制造方法 174 评估基于核的系统集成芯片(SoC)的方法及实现该方法的SoC的结构 175 电源电路装置 176 电致发光器件及其制造方法 177 非易失性存储器单元阵列和形成方法 178 半导体装置及其制造方法 179 包含薄膜晶体管的电子器件 180 薄膜晶体管及有源矩阵型显示装置及其制造方法 181 薄膜结构体的制造方法 182 发光材料和有机发光器件 183 图形加工方法 184 半导体元件用导电性薄膜、半导体元件及它们的制造方法 185 电解处理装置和衬底处理设备 186 微波等离子体处理装置、等离子体处理方法以及微波发射部件 187 掺杂氮的退火晶片的制造方法以及掺杂氮的退火晶片 188 制造电子器件的方法 189 半导体装置及其制造方法 190 构图方法 191 制备各向异性晶体膜的方法及实施该方法的装置 192 半导体器件的制造装置和制造系统 193 氮化物半导体器件及其制造方法 194 等离子体处理装置 195 等离子体处理装置 196 等离子体处理装置 197 等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板 198 等离子体处理装置以及半导体制造装置 199 有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻 200 具有小回路高度的接线连接的片状模块 201 电子器件用封装体及其制造方法 202 散热型BGA封装及其制造方法 203 LED灯 204 显示装置 205 半导体器件,半导体层及其生产方法 206 半导体器件及其制造方法 207 包括薄膜晶体管的电子器件及其制造 208 具有柔性衬底的矩阵阵列器件 209 半导体发光器件及其制造方法、以及电极层连接结构 210 薄膜 211 半导体设备和其制造方法 212 三维立体掩膜 213 无铬相移掩膜及使用该掩膜的设备 214 涂敷型成膜方法、涂敷型成膜装置及半导体装置的制造方法 215 液膜形成方法及固体膜的形成方法 216 用热氧化氮化锌制备受主型氧化锌薄膜材料的方法 217 以单一晶片制程制作一闸极介电层的方法 218 基板处理装置 219 研磨半导体晶片的复合研磨垫及其制作方法
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