采用掩膜反刻蚀制作IBC电池交错结构的工艺 CN201310293673.6

本发明涉及采用掩膜反刻蚀制作IBC电池交错结构的工艺，对经过表面处理过的硅片的背面进行掺杂处理，并形成保护层；在硅片背面喷涂掩模层；利用化学液将未被保护区域进行腐蚀并去除掩膜层；在腐蚀过的区域进行掺杂处理，形成交错背接触IBC晶体硅太阳能电池所需要的交错掺杂区域结构。与现有技术相比，本发明采用掩膜反刻蚀的方法代替了常规工艺中的掩膜保护和光刻等复杂高成本的工艺过程，同时也简化了IBC电池制备的工艺，降低IBC电池制作的成本，实现工业化量产的可行性。
专利类型：发明
专利号：201310293673.6
专利申请日：2013.07.12
公开（公告）日：2015.01.14
申请（专利权）人：上海神舟新能源发展有限公司
发明（设计）人：刘穆清;周利荣;沈培俊;李怀辉;张忠卫
国别省市：上海;31