一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料及其制备方法 CN201410351786.1

本发明公开了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，包括作为导电主体的镍包裹铜纳米颗粒和有机溶剂，所述导电主体的质量分数为70～90％；所述的镍包裹铜纳米颗粒中镍和铜的质量比为0.05～0.3:1。本发明提供了一种用于硅太阳电池栅极的铜导电浆料，以镍包裹铜核壳结构纳米颗粒作为导电铜浆料的导电主体，所述的铜导电浆料在具备优良导电性的同时防止铜的氧化和扩散。所述铜导电浆料中还加入了铜锡低熔点导电合金，可以大幅降低铜浆料的烧结温度，从本质上抑制铜扩散进入硅电池对电池效率引起的不利影响，并且低温烧结也可使生产电池能耗降低。本发明还公开了所述的硅太阳电池栅极的铜导电浆料的制备方法。
专利类型：发明
专利号：201410351786.1
专利申请日：2014.07.23
公开（公告）日：2014.11.12
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：杨德仁;杨黎飞;赵妍;吕卿民;吴晓蕾;余学功
国别省市：浙江;33