一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法 CN201810716391.5

本发明提供了一种太阳能电池及其选择性发射极结构的制作方法，提供经过预处理的硅片；对硅片进行第一次扩散，在硅片正面形成第一掺杂层；对硅片进行第二次扩散，在第一掺杂层上方形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度大于第一掺杂层的掺杂浓度；保留预设正面电极区域的第二掺杂层，刻蚀掉预设正面电极区域之间的第二掺杂层；在预设正面电极区域的第二掺杂层上方形成正面电极。由于第二掺杂层即重掺杂层和第一掺杂层即轻掺杂层是两次扩散形成的，因此，可以使轻掺杂层的掺杂浓度很低，使重掺杂层的掺杂浓度很高，进而可以增大重掺杂层和轻掺杂层的掺杂浓度差异，提升太阳能电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201810689808.3
专利申请日：2018.07.03
公开（公告）日：2018.11.27
申请（专利权）人：浙江晶科能源有限公司; 晶科能源有限公司;
发明（设计）人：朱佳佳; 郑霈霆; 张昕宇; 金浩; 祁文杰;
国别省市：浙江;33