溶液法制备MoO3/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法 CN201510724663.2
本发明公开了一种溶液法制备MoO3/硅纳米线阵列异质结太阳能电池的方法，属于光伏材料技术领域。本发明的技术方案要点为：利用无水氢化三氧化钼易溶于水或异丙醇的特性，将三氧化钼作为空穴传输层，本发明首先提出了将MoO3溶液旋涂于硅纳米线阵列制备异质结太阳能电池的方法，该方法无需高温高真空设备，制得的异质结太阳能电池与真空蒸镀法或有机物旋涂法制备的异质结太阳能电池相比能量转换效率相当，但是本发明制备的异质结太阳能电池稳定性明显提高。
专利类型：发明
专利号：
201510724663.2
专利申请日：
2015.11.02
公开（公告）日：
2016.02.17
申请（专利权）人：
河南师范大学;
发明（设计）人：
蒋玉荣; 李忱; 李全锋; 马恒;
国别省市：
河南;41
