具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法 CN201410045037.6

本发明公开一种具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括具有粗糙化的第一表面的半导体基板；一设置于所述第一表面的掺杂碳化硅层，所述掺杂碳化硅层包含一掺杂元素；一抗反射层；多个设置于所述抗反射层上且穿透所述抗反射层的正面电极；以及设置于所述半导体基板第二表面的背面电极层。掺杂碳化硅层由于具有与半导体基板的掺杂型反向的掺杂以及碳化硅成分，具有低电阻及宽能隙特性，因此所述掺杂碳化硅层可作为太阳能电池的射极，且掺杂碳化硅层对太阳光的吸收较少，可增加进入半导体基板的光量，进而提升太阳能电池的光电转换率。
专利类型：发明
专利号：201410045037.6
专利申请日：2014.02.07
公开（公告）日：2015.01.14
申请（专利权）人：新日光能源科技股份有限公司
发明（设计）人：戴煜暐;陈伟铭;洪传献
国别省市：china台湾;71