高气孔率的碳化硅多孔陶瓷的制备方法 CN201210274162.5

本发明公开了一种高气孔率的碳化硅多孔陶瓷的制备方法，以重量百分比为60％～80％的碳化硅粉体、10%的碳化硼、5％～25％的铁氧化物和5％聚乙烯醇组成原料，依次进行混料、喷雾造粒、挤压成型、干燥和烧结，烧结步骤的工艺条件为：将干燥后素坯采用无压烧结技术，于2100~2200℃的烧结温度下烧结10~15小时，得高气孔率的碳化硅多孔陶瓷。采用本发明方法制备而得的碳化硅多孔陶瓷具有孔径尺寸可控、显气孔率高、比表面积较大，强度满足应用要求等特点。
专利类型：发明
专利号：201210274162.5
专利申请日：2012.08.02
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：浙江大学
发明（设计）人：郭兴忠;朱林;杨辉;郑志荣
国别省市：浙江;33