一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法 CN201210315790.3

一种Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的制备方法，涉及多孔复相陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的方法存在的制备方法复杂，且最终产物中易残留SiO2的技术问题。本发明的制备方法如下：一、制备原料；二、制备块体材料；三、制备生坯；四、制备多孔结构生坯；五、制备Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷。本发明制备的Si3N4-Si2N2O多孔复相陶瓷的抗弯强度132～267MPa，断裂韧性1.8～4.3MPa·m1/2，实际密度1.8～2.7g/cm3，介电常数4.0～6.7，可作为热防护材料和透波材料用于航空航天、机械工业等领域。
专利类型：发明
专利号：201210315790.3
专利申请日：2012.08.31
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：哈尔滨工业大学
发明（设计）人：贾德昌;王胜金;杨治华;段小明;周玉
国别省市：黑龙江;23