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多孔碳化硅陶瓷的制备方法 CN201210312343.2


多孔碳化硅陶瓷的制备方法,它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下:一、制备浆料;二、制备多孔陶瓷生坯;三、制备预制体;四、制备碳凝胶;五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料;六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料;七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结,即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30~83%、孔径尺寸为0.3~100m,孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试,最终制得的孔隙率为47.8%的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。
专利类型:发明
专利号:201210312343.2
专利申请日:2012.08.29
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.12.5
分类号:
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
发明(设计)人:叶枫;刘强;侯赵平;刘仕超;张海礁
国别省市: 黑龙江;23


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