多孔碳化硅陶瓷的制备方法 CN201210312343.2

多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。
专利类型：发明
专利号：201210312343.2
专利申请日：2012.08.29
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：哈尔滨工业大学
发明（设计）人：叶枫;刘强;侯赵平;刘仕超;张海礁
国别省市： 黑龙江;23