CIGS太阳能电池结构及其制造方法 CN201210401135.X

一种制造CIGS薄膜光伏器件的方法包括：在基板上形成背接触层；在背接触层上形成富Se层；通过沉积铜、镓和铟在富Se层上形成前体层，得到第一中间结构；对第一中间结构进行退火或硒化，从而沿着背接触层和前体层之间的界面形成Cu/Se、Ga/Se或CIGS化合物，并得到第二中间结构；以及硒化第二中间结构，从而在背接触层上将前体层转化成CIGS吸收层。本发明提供了CIGS太阳能电池结构及其制造方法。
专利类型：发明
专利号：201210401135.X
专利申请日：2012.10.19
公开（公告）日：2013.10.30
申请（专利权）人：台积太阳能股份有限公司
发明（设计）人：杨弦升;李文钦;朱立寰
国别省市：台湾;71