具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 CN201310175111.1

本发明涉及一种太阳能电池包括在诸如硅晶片之类的衬底（103）背面（106）上的多晶硅P型和N型掺杂区域。沟槽结构（104）将P型掺杂区域（101）和N型掺杂区域（102）分开。P型和N型掺杂区域中的每个均可以形成在薄电介质层（113）上。沟槽结构（104）可以包括具有纹理的表面（114）,该表面用来增加太阳能辐射收集。其他优点之一是：形成的结构通过在相邻的P型和N型掺杂区域之间提供隔离来提高效率，从而防止掺杂区域会接触的空间电荷区域中的复合。
专利类型：发明
专利号：201310175111.1
专利申请日：2009.04.29
公开（公告）日：2013.09.25
申请（专利权）人：太阳能公司
发明（设计）人：戴维·D·史密斯
国别省市：美国;US