具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池的沟槽工艺和结构 CN201310175111.1
本发明涉及一种太阳能电池包括在诸如硅晶片之类的衬底（103）背面（106）上的多晶硅P型和N型掺杂区域。沟槽结构（104）将P型掺杂区域（101）和N型掺杂区域（102）分开。P型和N型掺杂区域中的每个均可以形成在薄电介质层（113）上。沟槽结构（104）可以包括具有纹理的表面（114）,该表面用来增加太阳能辐射收集。其他优点之一是：形成的结构通过在相邻的P型和N型掺杂区域之间提供隔离来提高效率，从而防止掺杂区域会接触的空间电荷区域中的复合。
专利类型：发明
专利号：
201310175111.1 专利申请日：
2009.04.29公开（公告）日：
2013.09.25申请（专利权）人：
太阳能公司发明（设计）人：
戴维·D·史密斯国别省市：
美国;US
