具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法 CN201210283318.6

本发明涉具有两结锗子电池的四结太阳能电池及其制备方法，涉及一种太阳能电池。所述电池设有第一结Ge子电池、第二结Ge子电池、第三结InGaAs子电池、第四结InGaP子电池和接触层；第一结Ge子电池构建在Ge衬底上，Ge衬底作为第一结Ge子电池的基区，第二结Ge子电池与第一结Ge子电池之间由第一隧穿结连接，第三结InGaAs子电池与第二结Ge子电池之间由第二隧穿结连接，第四结InGaP子电池与第三结InGaAs子电池之间由第三隧穿结连接，接触层设在第四结InGaP子电池上。将Ge电池分作两结串联的Ge子电池，实现电池的电流匹配和晶格匹配，解决电流不匹配的问题，还有效提高电池的开路电压和电池的转换效率。
专利类型：发明
专利号：201210283318.6
专利申请日：2012.08.09
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.21
分类号：
申请（专利权）人：厦门大学
发明（设计）人：陈松岩;李欣;刘蕊;刘晶晶;孙钦钦
国别省市：福建;35