一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法 CN201210291953.9

本发明涉及太阳能光伏应用领域，特别是一种多步生长法制备微晶硅薄膜的方法。第一步刻蚀其特征在于用氢等离子体处理2-4min，H2流量为15sccm，得到籽晶层后，使用第一步的生长方法、工艺参数继续第二步生长得到微晶硅薄膜。随后用氢等离子体处理1-2min，H2流量为10sccm，继续使用第一步生长方法得到微晶硅薄膜，此时工艺参数为SiH4流量为5sccm，H2流量为10sccm，衬底温度为200-220℃，微波功率450W，沉积时间1h-1.5h。本发明经过多步的等离子体增强化学气相沉积和高纯度H2放电刻蚀，可成功制备高质量，几乎完全不含非晶孵化层的微晶硅薄膜，大大提高了薄膜的纵向均匀性和晶化率。
专利类型：发明
专利号：201210291953.9
专利申请日：2012.08.16
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.11.21
分类号：
申请（专利权）人：青海天普太阳能科技有限公司
发明（设计）人：杨志刚
国别省市：青海;63