一种晶硅电池多层钝化减反膜及其制作方法 2014104366638

本发明公开了一种晶硅电池多层钝化减反膜，所述的钝化减反膜沉积于晶硅电池N型面，其特征在于：所述的钝化减反膜由下而上依次包括：氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜、第三氮化硅膜，其中氧化硅膜的厚度为10-30nm，折射率n1为1.3-1.6，第一氮化硅膜厚度为8-15nm，折射率n2为2.15-2.25，第二氮化硅膜的厚度为15-30nm，折射率n3为2.05-2.15，第三氮化硅膜的厚度为30-50nm，折射率为1.9-2.0。
专利类型：发明
专利号：2014104366638
专利申请日：2014.09.01
公开（公告）日：2014.12.24
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：刘仁中;张辉;杨红冬;张斌;邢国强
国别省市：江苏