蓄电装置及其制造方法 CN201210179710.6

本发明提供蓄电装置及其制造方法。本发明的一个方式提供一种起因于伴随充放电的硅的体积变化的电池特性的劣化得到抑制的锂离子二次电池。负极包含粒子状或晶须状的硅，该硅粒子或硅晶须的表面被由通过使氧化石墨烯还原而形成的1层至50层的石墨烯构成的碳膜覆盖。至于碳膜，因为分子间键合力强的sp2键与硅表面大致平行，所以在硅膨胀时碳膜也不会破裂，而可以防止硅的破碎。另外，由此形成的碳膜具有适当的间隙，在硅膨胀时能够伸缩，并且该间隙可以透过锂离子。另外，碳膜还有防止硅与电解液起反应的效果。
专利类型：发明
专利号：201210179710.6
专利申请日：2012.06.01
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.5
分类号：
申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所
发明（设计）人：小国哲平;长多刚;竹内敏彦;野元邦治;荻野清文;等等力弘笃;桃纯平;井上信洋
国别省市：日本;JP