太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法 CN201210327712.5

本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅，在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为：电活性杂质为1013～1021atoms/cm3、锗为1016～1019atoms/cm3、锡为1013～1016atoms/cm3。本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法，在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡，通过常规CZ法制得单晶硅，单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值，即成。本发明方法制备的单晶硅，对日光转换效率更好，光衰更小。
专利类型：发明
专利号：201210327712.5
专利申请日：2012.09.06
公开（公告）号：
公开（公告）日：2012.12.19
分类号：
申请（专利权）人：西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
发明（设计）人：张群社;祁伟
国别省市：陕西;61