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太阳能电池用锗锡共掺单晶硅及其制备方法 CN201210327712.5


本发明公开了一种太阳能电池用锗锡共掺单晶硅,在单晶硅中的三种杂质原子体积浓度分别为:电活性杂质为1013~1021atoms/cm3、锗为1016~1019atoms/cm3、锡为1013~1016atoms/cm3。本发明还公开了上述太阳能电池用锗锡共掺单晶硅的制备方法,在太阳能级多晶硅原料中同时掺入电活性杂质、锗、锡,通过常规CZ法制得单晶硅,单晶硅中的上述三种杂质的最终原子体积浓度分别为上述的数值,即成。本发明方法制备的单晶硅,对日光转换效率更好,光衰更小。
专利类型:发明
专利号:201210327712.5
专利申请日:2012.09.06
公开(公告)号:
公开(公告)日:2012.12.19
分类号:
申请(专利权)人:西安隆基硅材料股份有限公司;无锡隆基硅材料有限公司;宁夏隆基硅材料有限公司;银川隆基硅材料有限公司
发明(设计)人:张群社;祁伟
国别省市:陕西;61


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