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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术02
002 集成电路制造方法 003 在半导体功率元件的半导体薄片边缘上开环形槽的方法 004 集成双板晶体管的集电极接触 005 至少包括一个双极平面型晶体管的单块集成电路的制造方法 006 半导体器件 007 源漏掺杂技术 008 外引线带的自动焊接法 009 半导体直接键合的表面处理方法 010 太阳能收集器中与初级聚光器配合使用的光电池罩 011 具有混合氧化物绝缘体的二极管 012 半导体装置 013 功率半导体器件的电极引出技术 014 热敏元件及其制造方法 015 减少封装应力制造半导体器件的方法 016 超导器件 017 可大批量传送半导体衬底用的全罩式装载器具（舟） 018 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管的集成制造工艺 019 高温超导检波器 020 提高场效应晶体管柱绝缘性的方法 021 多栅极薄膜晶体管 022 具有若干导电线路供传输高速信号用的电路 023 超导半导体器件 024 大功率可控半导体元件 025 硅薄膜区熔再结晶的防气化覆盖层 026 超导器件 027 快速响应的热电偶元件 028 互补横向绝缘栅整流管 029 利用ＣＭＯＳ工艺制造双极型晶体管 030 太阳能电池 031 具有多层超导结构的电路及其制造方法 032 制造半导体元件的方法 033 硫化铅多晶薄膜的激光敏化方法 034 具有一连续渐变带隙半导体区域的半导体器件 035 硅器体化学镀镍与化学腐蚀工艺 036 具有多层薄膜迭合的半导体层的薄膜光电电动势元件 037 半导体器件 038 一种半导体器件互连制造方法 039 半导体元件制造工艺 040 半导体电路不稳定性解决效率提高 041 门关断闸流晶体管及其制造方法 042 绝缘材料上的静电__象的无损读出设备和方法 043 半导体电压控制变容器 044 液晶显示元件的测试方法 045 超导陶瓷图案及其制造方法 046 一种等离子阳极化方法 047 在低温中应用含磷平面掺杂源 048 互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管 049 动态随机存取存储单元及其制造方法 050 半导体器件及其制造方法 051 用四氮化三硅涂层制造太阳电池的方法 052 包括多个敏感同轴元件的压电换能器 053 新型半导体基础材料 054 高效太阳能电池 055 电荷耦合器件 056 一种顶部基片连接的CMOS集成电路及其制造方法 057 焊线 058 制作超导图案的方法 059 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺 060 非晶硅光位置敏感器件 061 采用超导材料的电子器件 062 制作ＣＭ０Ｓ集成电路的注入井和岛的方法 063 电荷耦合器件 064 用带式自动焊接法焊接的半导体芯片管壳 065 半导体功率元件 066 用于电钝化集成电路的一种布局 067 超导器件及其制造 068 具有一个空间调制本征层的薄膜太阳能电池 069 磷化镓液相外延方法及装置 070 用于制造超导氧化物材料的溅射装置及方法 071 用于化合物半导体的薄膜层的生长方法 072 非晶硅太阳电池背电极的刻蚀方法 073 一种台面半导体器件钝化工艺及设备 074 硅低温掺氟氧化方法 075 半导体元件及其制造方法 076 电路元件 077 半导体直接键合的工艺方法 078 一种高发光效率的磷化镓外延材料 079 可燃性气体敏感元件 080 制备叶绿素光伏电池工艺 081 可切断的半导体器件及带有此器件的电路布置 082 ＭＯＳ电路的保护装置 083 可关断半导体器件 084 共地化半导体器件封装件的制造方法 085 非晶态硅碳氢钝化工艺 086 燃气热电磁控安全阀探测器材料 087 半导体器件及其制造方法 088 在半导体片表面具有金属导线迹的半导体器件的制造方法 089 按图案制造氧化物超导材料薄膜的方法 090 ＣＭＯＳ器件用硅片的缺陷控制和利用工艺 091 用干法刻蚀多晶硅的局部氧化硅法 092 可关断的大功率半导体元件及其制造方法 093 半导体异质结构 094 用红外线炉制造铜厚膜导体的方法 095 复合氧化物超导薄膜或线材及其制造方法 096 场效应控制的双极型功率半导体器件及其制造方法 097 厚膜超导电子器件及其制造方法 098 热电变换器及其制造方法 099 光生伏打装置及其制造方法 100 两极管钼－铜引线的制作方法 101 对半导体材料进行热处理的工艺和设备 102 离子注入掺杂区域平面显示方法 103 镓在硅台面管生产中的应用技术 104 氢敏半导体器件及其制造方法 105 晶片托架 106 大功率闸门电路断开的可控硅及其制造方法 107 电荷耦合器件 108 生产串联连接的薄膜太阳电池阵列的方法 109 掺铟混晶锌扩散源 110 改进的溶液生长硅薄膜的方法 111 半埋栅静电感应晶体管(SIT)的制造方法和器件 112 ＣＭＯＳ／ＮＭＯＳ集成电路 113 偏锡酸锌酒敏元件的制作 114 一种固态开关器件 115 铁电陶瓷材料 116 铁电陶瓷材料 117 嵌入数字门阵列中的模拟宏功能 118 集成电路的保护结构 119 一种微区敷膜技术与装置 120 采用陶瓷超导元件的逻辑器件和存储器件 121 一种金属氧化物半导体场效应晶体管 122 半导体器件的制造方法－其中在淀积金属的过程中形成金属硅化物 123 半导体器件制造方法 124 一种制造太阳能电池接触的改进方法 125 磷化镓发光二极管电极制备工艺 126 形成功能沉积膜的方法 127 放大压电元件位移的装置及制造这种装置的方法 128 电气器件及其制造方法 129 垂直双极晶体管 130 一种延长功率晶体管寿命的工艺 131 高压垂直扩散场效应管及其制法 132 超电导晶体管 133 ＣＭＯＳ晶体管和单电容动态随机存取存储单元及其制造方法 134 电气器件及其利用等离子体加工的制造方法 135 埋层阻档式多孔硅氧化形成硅隔离结构的方法 136 半导体组件及采用这种组件的计算机 137 压电致动器 138 可控功率半导体元件 139 制造太阳能电池阵列的方法 140 为非平面型半导体器件形成顶部接触 141 可关断的半导体元件 142 功率器件的自对准电报 143 异质结双极晶体管 144 制造太阳能电池阵列的方法 145 一种制造半导体器件的方法 146 无应变、无缺陷的外延失配异质结结构及其制备方法 147 一种制造可关断晶闸管的方法 148 电子器件的制造方法 149 非易失性存储器及其制造方法 150 基座及其制造方法 151 环形三迭片压电超声振子及用其钳位的超声微动马达 152 热电偶组件及其制造方法 153 半导体器件 154 载流子寿命的轴向调节方法 155 具有抗反射层的叠层光生伏打器件 156 半导体器件及其制造方法 157 提高功率晶体管间歇寿命的工艺 158 偏锡酸锌丁烷气敏元件的制作方法 159 耐高电压的场效应功率晶体固体组件 160 半导体器件的制造方法 161 铟锡氧化物薄膜的腐蚀方法 162 超大规模集成电路静态随机存储器 163 制造太阳能电池阵列的方法 164 碳化硅超快速高温整流二极管 165 碳化硅中形成蓝光发射二极管 166 宽势阱半导体光电器件 167 电源集成电路抗负载电压冲击的保护 168 感湿体为致密陶瓷的湿敏元件制造方法 169 Ⅱ-Ⅵ族膜衬底蚀孔结构及加工方法 170 集成电路电源脚的重新排列 171 叠层型陶瓷元件及其制造方法 172 常温半导体气体敏感元件的制备 173 螺栓型晶闸管制造方法 174 一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构 175 压电陶瓷元器件电极的生产工艺 176 隧道型约瑟夫森器件及其制造方法 177 半导体集成电路中的内电压变换器 178 一种三维磁矢敏感器及其制造方法 179 增强塑料封壳对含铜引线底板的附着力的方法 180 制造超导制品的方法 181 光敏半导体器件 182 具有低阻薄层衬底结构的高压硅管 183 电荷耦合器件含有该器件的图像传感器装置及装有该装置的摄象机 184 光发射或接收装置、光发射或接收元件用的密封剂其封装方法 185 电子部件、电子部件的封装剂以及封装方法 186 外延沉积 187 集成电路的制作方法及实施该方法的装置 188 平面型约瑟夫逊器件 189 氢敏元件及制造法 190 含有辐射敏感元件的半导体器件 191 光电混合集成半导体光双稳器件 192 制备选择晶体生长基片的方法，选择晶体生长方法和利用该方法制备太阳电池的方... 193 采用吸附扩散源的掺杂方法 194 光致电压器件及其制造方法 195 光电池组件的喷涂封装 196 一种金属-半导体埸效应晶体管 197 透明导电膜以及采用这种透明导电膜的交流粉末型场致发光显示板和液晶显示器 198 设置在载体上的超大规模集成芯片的设计系统以及由该系统设计的模块 199 热电池 200 ＭＯＳ集成电路防静电保护器 201 用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法 202 整片串联和并联的光电组件 203 硅半导体器件用硅片的缺陷控制工艺 204 生产扭矩传感器轴的方法 205 双极型和互补金属氧化物半导体晶体管 206 选极晶体管 207 固态、量子力学电子和空穴波器件 208 非晶硅光电池片及其制造法 209 母片式半导体集成电路 210 精密正向特性二极管互换组件及制造方法 211 互连结构 212 铁电陶瓷 213 高密度动态随机存取存储单元 214 制作超导图案的方法 215 一种利用NPN晶体管锁闩电压的横向PNP晶体管 216 集成电路隔离工艺 217 干法工艺用的大面积均匀可调永磁磁路结构 218 半导体器件的制造方法 219 光发射或接收装置及其制作方法
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