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半导体器件、其他类目未包括的电固体器件专利技术58
002 用于图案细微化的涂膜形成剂和使用该形成剂形成细微图案的方法 003 交错相移掩模的制造方法 004 形成细微图案的方法 005 在硅基片上制造Si1-xGex 006 接触孔的形成方法 007 半导体器件的抬升源极/漏极的制造方法 008 机加工硅片的方法 009 减少蚀刻制作工艺期间微粒产生的方法 010 堆叠膜图案的形成方法 011 介电层的沉积方法 012 半导体器件的制造方法 013 半导体装置的制造方法 014 半导体器件内形成高压结的方法 015 给出具有高沟道密度的半导体器件的低成本方法 016 带子组合物以及低温共烧制陶瓷的抑制烧结方法 017 制作半导体器件和其中所用耐热压敏粘结带的方法 018 半导体器件及其制造方法 019 半导体装置的制造方法 020 树脂接合用焊台及焊头 021 标记位置检测装置和标记位置检测方法 022 浅沟渠隔离区的制造方法 023 用于集成电路上的芯片间晶片级信号传输方法 024 在金属间介电层构成图形的方法 025 电子器件及其制造方法 026 制造半导体器件接触插塞的方法 027 用于宽编程的双金属/多晶硅氧化物氮化物氧化物硅存储器单元 028 集成电路阵列结构的制造方法 029 制造半导体装置的方法 030 绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法 031 一种纳米级蓝宝石衬底的加工方法及其专用抛光液 032 用于装配电子零件的薄膜承载带 033 半导体器件和制造半导体器件的方法 034 散热增益型导线架 035 形成熔通借孔结构的方法 036 半导体器件 037 用于多电源的标准单元及其相关技术 038 具有铜熔丝的半导体结构及其形成方法 039 半导体器件及其制造方法 040 保护电路 041 功率半导体装置 042 用于保护外部程序代码的控制系统 043 集成电路存储设备 044 光互联集成电路、光互联集成电路的制造方法、光电装置以及电子仪器 045 一种集成电路装置及制造集成电路装置的方法 046 半导体集成电路 047 半导体装置 048 半导体集成电路装置 049 容量元件及其制造方法 050 半导体集成电路及其制造方法 051 半导体装置及其制造方法 052 存储器的存储装置 053 存储装置 054 半导体存储器件 055 半导体存储器件以及半导体器件 056 嵌入式电力可编程只读存储器 057 可消除像素噪声的对数极式互补式金氧半导体影像传感器 058 电流放大的对数极式互补金氧半导体影像传感器 059 半导体器件 060 半导体器件及其制备方法 061 具有硅氧化膜的半导体装置 062 半导体器件及其制造方法 063 半导体器件及其制造方法 064 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法 065 太阳电池模块的再生方法及太阳电池模块 066 光电转换元件 067 一种颗粒硅带的制备方法及其专用设备 068 含有绿色有机发光二极管的装置 069 半导体制造装置用的控制器模块 070 形成开口图案的方法及其应用 071 应用于罩幕式只读存储器编码布植的微影工艺 072 曝光条件确定系统 073 处理溶液施用方法 074 图形形成方法 075 半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法 076 用于切割玻璃基板的粘着片及切割玻璃基板的方法 077 微半导体元件的制造方法 078 在图案化材料上形成高分子层的方法 079 制造具有氧化硅/氮化硅/氧化硅层的半导体组件的方法 080 在低温下氧化硅片的方法和用于该方法的装置 081 低温下使硅晶片氧化的方法及其使用的设备 082 激光退火装置和激光薄膜形成装置 083 具有多个凸块的基片、凸块形成方法及将基片彼此结合的方法 084 介层窗偏移侦测装置 085 监控离子植入于半导体基材的方法与系统 086 接触子块及电气连接装置 087 电容值测定方法 088 具有降低封装测试时间的半导体存储装置 089 确定背栅特性的方法和装置 090 半导体器件及其测试方法 091 检测晶片阶段缺陷的方法 092 含绝缘体的半导体装置及其制造方法 093 半导体器件及其制造方法 094 制作具有埋藏导线的半导体元件的方法 095 制作热熔丝的方法 096 多孔电介质中嵌刻铜结构的制成方法 097 防止化学机械抛光中的凹陷和侵蚀的半导体器件制造方法 098 制造具有多层布线的半导体器件的方法 099 在硅基板中插塞通孔的方法 100 布线结构的形成方法 101 半导体器件的制造方法和半导体器件 102 电容器的制造方法 103 半导体器件的电容器的制造方法 104 半导体器件及其制造方法 105 半导体装置及其制造方法 106 半导体器件中电容器的形成方法 107 改良型掩膜式只读存储器工艺与元件 108 半导体器件 109 一种多晶粒封装结构 110 半导体器件及其制造方法 111 多层电路板、多层电路板的制造工艺、用于多层电路的板以及电子装置 112 电极的恢复处理方法 113 导热片材及其制造方法 114 电子设备 115 适应集成电路小形化趋势的导线架 116 半导体器件、半导体封装以及用于测试半导体器件的方法 117 半导体器件及其制造方法 118 具有多层铜线路层的半导体器件及其制造方法 119 半导体集成电路 120 半导体器件及其制造方法 121 碳纳米管半加器及其制备工艺 122 半导体集成电路、信号传输装置、光电装置和电子仪器 123 一种可具有极性的集成电容 124 半导体集成电路器件 125 可在室温下工作的单电子存储器及制备方法 126 具有高集成度的单电子存储器及其制备方法 127 存储器件及其驱动方法 128 存储结构和制造该存储结构的方法 129 半导体存储器 130 具有数据总线系统以降低高频噪声的半导体存储器 131 非易失性半导体存储器 132 半导体存储器 133 具有氧化阻挡层的电容器及其制造方法 134 提高抗软错误性的半导体存储器 135 不连续的氮化物只读存储器存储单元的结构 136 半导体装置及其制造方法 137 含光探测器和旁路装置的图像传感器及其制法 138 具有可变参数的功率半导体 139 薄膜半导体器件及其制造方法和图像显示装置 140 一种感光二极管的光感测区的制作方法及其结构 141 发光二极管装置的透光层及其制作方法 142 具有欧姆接触的半导体装置及其制造方法 143 半导体晶片、半导体装置及其制造方法 144 一种利用金属阴极溅射的有机发光器件结构 145 可重复使用的晶圆控片及其形成方法 146 缩小制程的解析周期的方法 147 共晶焊背面金属化工艺 148 金属电浆蚀刻后的晶圆清洗方法 149 用于研磨机台的晶圆压力调整系统 150 具有伸张应变的信道层的场效晶体管结构及其制造方法 151 改善临近效应的源漏结构制作方法 152 金氧半导体晶体管的制造方法 153 半导体封装方法 154 开窗型导线架式半导体封装结构及制造过程 155 防止焊垫氟化的晶片储存方法及晶片储存运送装置 156 封装栅格阵列元件的改进工艺 157 用于清洁探针板接点的设备与方法 158 预烧测试静态随机存取存储器的方法及装置 159 直接计算金氧半场效晶体管界面缺陷量的方法 160 一种高速信元传输的实现方法 161 一种整合高压元件制程及混合信号元件制程的方法 162 无阻障层且具有多层种子层的内连线工艺与结构 163 修正凸块轮廓的方法 164 在衬底上制备空气桥的方法 165 形成铜金属线的方法 166 形成多层导电线的方法 167 利用微晶硅膜作为浮置闸以促进快闪式存储器性能的方法 168 多位存储单元及其制造方法 169 Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法 170 罩幕式只读存储器的制造方法 171 罩幕式只读存储器的制造方法 172 四方形平面无管脚式半导体封装结构及制造方法 173 用以缩短打线长度的半导体封装件 174 芯片座具开孔的半导体封装件及其制造方法 175 半导体芯片承载件,半导体封装件及半导体封装方法 176 芯片座具凹部的半导体封装件 177 铝铜接合散热片及其制造方法 178 可控制溃缩量的导线架及具备该导线架的覆晶型半导体封装件 179 防止管脚短路的导线架及具有该导线架的半导体封装件的制法 180 以导线架为芯片承载件的覆晶式半导体封装件 181 球栅阵列半导体封装件 182 金属垫与接合垫区的结构 183 双极性输入垫的静电放电保护装置及方法 184 静电放电保护装置 185 覆晶封装集成电路的静电放电保护机制及具有静电放电保护机制的晶片 186 一种半导体封装件及其制法 187 具有向下延伸支脚的芯片承载件的多芯片半导体封装件 188 多芯片半导体封装件及其制法 189 碳纳米管式集成场效应管及其制备工艺 190 碳纳米管“或否”逻辑器件 191 碳纳米管逻辑“或”门器件及其制备方法 192 利用碳纳米管制作的逻辑“非”门器件 193 利用碳纳米管制作的随机存储器及制备方法 194 具有单壁碳纳米管结构的“与”门逻辑器件及其制作方法 195 埋入式位线的结构及其制造方法 196 非易失性存储单元及其制造方法 197 具有电容器的半导体器件 198 可抹除可编程只读存储器的结构 199 分离栅极式快闪存储器及其制造方法 200 双载子晶体管及其制造方法 201 具有颈状信道的场效晶体管及其制造方法 202 一种制作氮化镓发光二极管芯片N电极的方法 203 子母型发光二极管的封装结构及方法 204 防止主动式有机发光二极管器件的阴极产生断裂的方法 205 发光二极管的封装成型方法及成品结构 206 宽温度范围稀土超磁致伸缩材料 207 一种新型稀土超磁致伸缩材料及制备方法 208 源极侧边植入硼以减少沟道掺杂的深次0.18微米闪存单元 209 倒装片衬底设计 210 用于倒装式结合在有焊料凸块晶片上预底填料的溶剂辅助抛光 211 包含具有埋置电容器的衬底的电子组装件及其制造方法 212 包括具有嵌入式电容器的内插器的电子装置及其制作方法 213 半导体元件及其制造方法 214 发光二极管模块 215 半导体器件及其制作方法 216 具有高击穿电压的立式元件 217 在透明或半透明衬底上形成的半导体发光元件 218 晶体管和包括晶体管的显示器 219 平面双端开关
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