掺杂钙钛矿型薄膜太阳能电池及制备方法 CN201610122516.2

本发明公开了一种掺杂钙钛矿型薄膜太阳能电池及其制备方法。掺杂钙钛矿型薄膜太阳能电池包括透明导电衬底和在所述透明导电衬底表面依次层叠结合的电子传输层、介孔二氧化钛层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和电极，所述钙钛矿吸光层材料为卤素掺杂的锡钙钛矿，卤素主要采用Br与I。其制备方法包括在透明导电衬底表面依次形成电子传输层、介孔二氧化钛层、锡钙钛矿层、空穴传输层和电极的步骤。本发明掺杂钙钛矿型薄膜太阳能电池无环境的污染，吸光能力强，光电转换效率。其制备方法工艺简单易操作，生产效率高，降低了生产成本。
专利类型：发明
专利号：201610122516.2
专利申请日：2016.03.04
公开（公告）日：2017.09.12
申请（专利权）人：深圳清华大学研究院;
发明（设计）人：檀满林; 杨帅; 马清; 张维丽; 符冬菊; 李冬霜; 王晓伟; 陈建军;
国别省市：广东;44