一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构及其制备方法 CN201610935414.2
本发明公开了一种适合薄片化的N型PERT双面电池结构，包括硅片基体；硅片基体的正面形成有n+轻掺杂层及局部n++重掺杂区，在n+轻掺杂层上形成有通过一个工艺步骤得到的第一钝化减反层，在n++重掺杂区引出负电极。基体的背面形成有p+掺杂层及通过一个工艺步骤得到的第二钝化减反层，在p+掺杂层上引出正电极。通过将n+掺杂层转移到电池正面，可以降低金属栅线遮光面积，减少电极接触复合；且形成的n++局部重掺杂区极大地提高电池开路电压和短路电流，同时可以使n+掺杂层的方阻提升的更高，这样有利于提表面钝化效果；第一钝化减反层和第二钝化减反层均通过一个工艺步骤即可制备得到，因而在工艺制作流程上极大进行了优化，提高生产效率，减低了生产成本。
专利类型：发明
专利号：
201610935414.2
专利申请日：
2016.11.01
公开（公告）日：
2017.05.10
申请（专利权）人：
西安电子科技大学; 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;
发明（设计）人：
董鹏; 屈小勇; 刘涵; 吴翔;
国别省市：
陕西;61
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