太阳能电池减反射膜的制备方法 CN201710521556.9
本发明公开了一种太阳能电池减反射膜的制备方法，包括：在扩散后的晶体硅片的受光面上采用PECVD一次沉积折射率渐变的SiNx减反射膜。本发明的技术方案工艺简单，对晶体硅片的损伤小，有利于提高电池的转换效率和开路电压，也有利于改善镀膜过程中膜层沉积的均匀性。
专利类型：发明
专利号：
201710521556.9
专利申请日：
2017.06.30
公开（公告）日：
2017.09.12
申请（专利权）人：
国家电投集团西安太阳能电力有限公司;
发明（设计）人：
李跃恒; 孟庆平; 杨爱静; 宋志成; 王涛; 申海超; 王永冈; 李绪存;
国别省市：
陕西;61
