一种降低多晶电池片漏电的工艺方法 CN201710355691.0
本发明涉及一种降低多晶电池片漏电的工艺方法，在现有工艺中增加了槽式清洗的步骤，硅片在经过槽式清洗后，进一步清洗了硅片表面的金属离子和有机污染，降低了硅片内部的漏电，提升了成品率，提升了RSH，进一步提升了电池片的转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201710355691.0
专利申请日：
2017.05.19
公开（公告）日：
2017.09.12
申请（专利权）人：
常州亿晶光电科技有限公司;
发明（设计）人：
胡琴; 张凯胜; 姚伟忠;
国别省市：
江苏;32
