一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法 CN201610318854.3
本发明公开了一种晶格匹配的五结太阳能电池及其制作方法，以p型Ge单晶片为衬底，在所述衬底上面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池；AlGaAs/GaInAs DBR反射层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，GaInAs子电池和AlGaInAs子电池通过第三隧道结连接，AlGaInAs子电池和AlGaInP子电池通过第四隧道结连接。本发明可以提高GaInNAs子电池收集效率，增加五结电池的整体短路电流，而且可以减少GaInNAs子电池厚度，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201610318854.3
专利申请日：
2016.05.12
公开（公告）日：
2016.07.27
申请（专利权）人：
中山德华芯片技术有限公司;
发明（设计）人：
张小宾; 马涤非; 王雷; 吴波; 刘雪珍; 黄珊珊; 张杨; 杨翠柏
国别省市：
广东;44
