一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法 CN201610483222.2

本发明公开了一种全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法，自上而下依次包括：减反射膜/钝化膜、正面N+掺杂层、N型硅基体、本征非晶硅层、背面交替掺杂非晶或多晶硅层和电池电极；所述的背面掺杂层由N型非晶或多晶硅层与P型非晶或多晶硅层间隔交替排列而成；细金属导线通过导电结合材料与局部接触金属电极结合形成局部悬空细栅线电极；电池背面的P型非晶或多晶硅、N型非晶或多晶硅区域的相对端各设有电极引线，用于将汇集的电流导出。本发明避免了栅线的光遮挡面积，进而提高了电池的转换效率，同时通过减少金属浆料的使用量使生产成本降低。
专利类型：发明
专利号：201610483222.2
专利申请日：2016.06.27
公开（公告）日：2016.11.16
申请（专利权）人：泰州乐叶光伏科技有限公司;
发明（设计）人：李华; 钟宝申; 赵科雄;
国别省市：江苏;32