三结级联太阳电池及其制作方法 CN201310175899.6

本发明揭示了一种SiGe支撑三结级联太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，突破了晶格常数的限制，通过采用GeSi合金作为1.0eV子电池与支撑衬底，在GeSi合金表面键合薄层GaAs作为生长GaInP和GaAs子电池的衬底，然后生长GaAs与GaInP子电池，实现带隙分别为1.89/1.42/1.0eV的三结太阳电池。本发明提出的三结太阳电池，不但减少GaAs衬底的消耗，同时还有效解决了生长三结级联太阳电池材料的晶格失配问题，可获得比GaInP/GaAs/Ge三结电池高的开路电压，有利于转换效率的提高。
专利类型：发明
专利号：201310175899.6
专利申请日：2013.05.13
公开（公告）日：2014.11.19
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
国别省市：江苏;32