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准单晶硅太阳能电池片的制造方法 CN201310194286.7


本发明涉及一种准单晶硅太阳能电池片的制造方法。该制造方法引进准单晶硅作为太阳能电池片的基材,在传统单晶、多晶硅太阳能电池片制造方法的基础上,通过提高硅片的腐蚀量,使得制绒处理后的硅片的表面反射率由26%降至21%;通过调整扩散工序,使得扩散处理后硅片的方块电阻提高至75Ω/□以上;另外,在重掺杂扩散之后再借助激光实现硅片边缘部分PN结的隔离,简化了硅片的定位过程,提高产品的生产效率;与此同时,配合设计的新型电极栅线既降低了正银浆料的印刷耗费量,又降低了电池片的遮光面积,提高了开路电压和短路电流;这些因素共同作用使得电池片的光电转化效率达到17.80%以上,实现了意想不到的技术效果。
专利类型:发明
专利号:201310194286.7
专利申请日: 2013.05.22
公开(公告)日:2014.08.27
申请(专利权)人:江苏爱多光伏科技有限公司
发明(设计)人:卢君;马嫣明;李向清
国别省市:江苏;32


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