准单晶硅太阳能电池片的制造方法 CN201310194286.7

本发明涉及一种准单晶硅太阳能电池片的制造方法。该制造方法引进准单晶硅作为太阳能电池片的基材，在传统单晶、多晶硅太阳能电池片制造方法的基础上，通过提高硅片的腐蚀量，使得制绒处理后的硅片的表面反射率由26%降至21%；通过调整扩散工序，使得扩散处理后硅片的方块电阻提高至75Ω/□以上；另外，在重掺杂扩散之后再借助激光实现硅片边缘部分PN结的隔离，简化了硅片的定位过程，提高产品的生产效率；与此同时，配合设计的新型电极栅线既降低了正银浆料的印刷耗费量，又降低了电池片的遮光面积，提高了开路电压和短路电流；这些因素共同作用使得电池片的光电转化效率达到17.80%以上，实现了意想不到的技术效果。
专利类型：发明
专利号：201310194286.7
专利申请日： 2013.05.22
公开（公告）日：2014.08.27
申请（专利权）人：江苏爱多光伏科技有限公司
发明（设计）人：卢君;马嫣明;李向清
国别省市：江苏;32