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制造太阳能电池的方法及太阳能电池 CN201310165702.0
本发明揭露一种制造太阳能电池的方法及太阳能电池。制造太阳能电池的方法包括下列步骤:提供一第一导电型层,第一导电型层具有一上表面。掺杂一掺质至第一导电型层中,以于第一导电型层的上表面的下方形成一第二导电型层。第二导电型层具有一轻掺杂区。利用一激光掺杂制程掺杂掺质至第二导电型层的轻掺杂区中,以于第二导电型层的轻掺杂区中形成一半导体图案层。半导体图案层的掺质浓度大于第二导电型层的轻掺杂区的掺质浓度。 专利类型:发明 专利号:201310165702.0 专利申请日:2013.05.08 公开(公告)日:2014.11.12 申请(专利权)人:昱晶能源科技股份有限公司 发明(设计)人:洪光辉;颜贤成;吴家宏;陈易聪;柯震宇;陈玄芳;欧乃天;黄桂武;童智圣 国别省市:china台湾;71
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