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一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法 CN201410100299.8


本发明一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法,属于太阳能电池背场浆料的技术领域;提供一种高性能晶体硅太阳能电池背场铝浆的制备方法,该铝浆不含铅,过网性能好,烧结后硅片翘曲小,铝膜不起铝珠、铝包,致密性及导电性好,铝膜与电池片附着力高,电池片转换效率高,同时铝膜稳定性好;按照以下步骤进行:制备有机载体,制备混配铝粉,制备金属氧化物,选取铝硅合金粉,最后完成铝浆的制备;本发明主要应用在太阳能电池背场的浆料方面。
专利类型:发明
专利号:201410100299.8
专利申请日:2014.03.18
公开(公告)日:2014.05.28
申请(专利权)人:山西盛驰科技有限公司
发明(设计)人:任永华;张伟;贾进莉;赵亮富
国别省市:山西;14


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