一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法 CN201410100299.8

本发明一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法，属于太阳能电池背场浆料的技术领域；提供一种高性能晶体硅太阳能电池背场铝浆的制备方法，该铝浆不含铅，过网性能好，烧结后硅片翘曲小，铝膜不起铝珠、铝包，致密性及导电性好，铝膜与电池片附着力高，电池片转换效率高，同时铝膜稳定性好；按照以下步骤进行：制备有机载体，制备混配铝粉，制备金属氧化物，选取铝硅合金粉，最后完成铝浆的制备；本发明主要应用在太阳能电池背场的浆料方面。
专利类型：发明
专利号：201410100299.8
专利申请日：2014.03.18
公开（公告）日：2014.05.28
申请（专利权）人：山西盛驰科技有限公司
发明（设计）人：任永华;张伟;贾进莉;赵亮富
国别省市：山西;14