一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法 CN201410100299.8
本发明一种高性能晶体硅太阳能电池背场浆料的制备方法,属于太阳能电池背场浆料的技术领域;提供一种高性能晶体硅太阳能电池背场铝浆的制备方法,该铝浆不含铅,过网性能好,烧结后硅片翘曲小,铝膜不起铝珠、铝包,致密性及导电性好,铝膜与电池片附着力高,电池片转换效率高,同时铝膜稳定性好;按照以下步骤进行:制备有机载体,制备混配铝粉,制备金属氧化物,选取铝硅合金粉,最后完成铝浆的制备;本发明主要应用在太阳能电池背场的浆料方面。
专利类型:发明
专利号:
201410100299.8专利申请日:
2014.03.18公开(公告)日:
2014.05.28申请(专利权)人:
山西盛驰科技有限公司发明(设计)人:
任永华;张伟;贾进莉;赵亮富国别省市:
山西;14
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