一种高电压氧化镍钴锰锂正极材料的制备方法 CN201410286942.0

本发明公开了一种高电压氧化镍钴锰锂正极材料的制备方法，首先采用掺杂的方式在氧化镍钴锰锂一次料结构中引入金属元素以稳定其结构；在对一次料的包覆过程中，利用尿素缓释氢氧根的特点和诱导剂对金属离子的引导作用，创造出一种速率可控的均相包覆体系，这种包覆方法能够使得金属化合物缓慢生成，有序的附着在氧化镍钴锰锂一次料表面，最终形成一层均匀的包覆膜。用此制备方法合成的氧化镍钴锰锂正极材料，在高电压条件下(4.35V)具有良好的循环性能。
专利类型：发明
专利号：201410286942.0
专利申请日：2014.06.24
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：天津巴莫科技股份有限公司
发明（设计）人：徐宁;程晓焜;吴孟涛;唐淼;吕菲;魏玉研
国别省市：天津;12