薄膜太阳能电池及其制造方法 CN201410082857.2

本发明公开了一种用于制造薄膜太阳能电池（诸如CIS基薄膜太阳能电池）中的吸收层（诸如CIS基吸收层）的方法。一种方法包括硒化步骤、退火步骤和硫化步骤。另一种方法包括退火步骤和硫化步骤。此外，与传统的吸收层相比，的表面与底部的镓的比率更大，并且与传统的吸收层相比，本发明的CIS基吸收层的硫与硫加硒的比率更小。本发明也提供了一种用于在较大面积上方产生吸收层（诸如CIS基吸收层）的工艺，其中，通过更好的深度组分分布（通过可控的镓扩散/硫掺入和增大的晶粒尺寸），该层能够同时实现高开路电压和高填充因数。
专利类型：发明
专利号：201410082857.2
专利申请日：2014.03.07
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：台积太阳能股份有限公司
发明（设计）人：黄乾燿;邱永升;李文钦
国别省市：台湾;71