硅太阳能电池及其制备方法 CN201410328758.8

本发明公开了一种硅太阳能电池及其制备方法，其中硅太阳能电池的制备方法包括如下步骤：S1.提供冶金级硅晶圆衬底，并对其进行清洗；S2.刻蚀，并纯化处理；S3.对硅纳米阵列的表面进行形貌修饰；S4.对硅纳米阵列的表面进行形貌修饰；S5.涂覆共轭有机物。本发明的硅太阳能电池的制备方法将冶金级硅材料应用到太阳能电池制备中，其充分利用了湿法金属辅助化学刻蚀技术对冶金级硅材料进行表面形貌、以及表面纯化处理形成硅纳米结构。同时对有机材料对硅纳米结构进行钝化处理，提高了冶金级硅电池的电学，光学性能，改善了电荷分离及传输等性能。通过对有机-无机物杂化异质结的修饰改性提高电池的稳定性，增强了太阳能电池的电荷传输能力。
专利类型：发明
专利号：201410328758.8
专利申请日：2014.07.10
公开（公告）日：2014.09.17
申请（专利权）人：苏州大学
发明（设计）人：孙宝全;张杰
国别省市：江苏;32