背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法 CN201410220006.X

　
本发明提供的本发明提供了一种背面单层氧化铝作为钝化膜的晶体硅太阳能电池制备方法，包括硅片去损伤并制绒、清洗；磷扩散；背面磷硅玻璃去除，并实现背面抛光，去除磷硅玻璃并清洗；背面氧化铝薄膜生长；正面氮化硅减反射薄膜生长；激光开膜；背面印刷电极及不腐蚀氧化铝的铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本。
专利号：201410220006.X
专利申请日：2014.05.23
公开（公告）日：2014.08.20
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;陈同银;刘仁中;董经兵;张雪;谢烜;张斌;邢国强
国别省市：江苏;32