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采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法 CN201410219825.2

 
本发明提供了一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法,包括硅片单面制绒,清洗;正面沉积磷硅玻璃;背面沉积硼硅玻璃;高温退火,正面形成n+掺杂层,背面形成p+掺杂层;等离子刻边;清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃;背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜;正面沉积氮化硅减反射膜;背面局部打开薄膜,露出硼掺杂层;背面印刷背电极和铝层,正面印刷银栅线;烧结,测试。本发明步骤简单、易于操作,是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法,其主要特点为在商业化的工业设备基础上,充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备,充分减少设备投资,且不增加电池每瓦制造成本。
专利号:201410219825.2
专利申请日:2014.05.23
公开(公告)日:2014.08.20
申请(专利权)人:奥特斯维能源(太仓)有限公司
发明(设计)人:夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;陈同银;刘仁中;董经兵;张雪;谢烜;张斌;邢国强
国别省市:江苏;32


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