采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法 CN201410219825.2

　
本发明提供了一种采用新型掺杂方式的PERT晶体硅太阳电池的制作方法，包括硅片单面制绒，清洗；正面沉积磷硅玻璃；背面沉积硼硅玻璃；高温退火，正面形成n+掺杂层，背面形成p+掺杂层；等离子刻边；清洗去除硅片表面残留的磷硅玻璃和硼硅玻璃；背面单面沉积氧化铝/氮化硅叠层膜；正面沉积氮化硅减反射膜；背面局部打开薄膜，露出硼掺杂层；背面印刷背电极和铝层，正面印刷银栅线；烧结，测试。本发明步骤简单、易于操作，是一种可量产高效晶硅太阳能电池的制备方法，其主要特点为在商业化的工业设备基础上，充分利用目前企业生产线已具备的常规电池生产设备，充分减少设备投资，且不增加电池每瓦制造成本。
专利号：201410219825.2
专利申请日：2014.05.23
公开（公告）日：2014.08.20
申请（专利权）人：奥特斯维能源（太仓）有限公司
发明（设计）人：夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;陈同银;刘仁中;董经兵;张雪;谢烜;张斌;邢国强
国别省市：江苏;32