太阳能电池制造用的自我对准掩模 CN201080055181.8
使用各种方法来形成可用于后续植入的掩模，此等方法是利用非晶化硅与晶体硅之间物理特性及化学特性的差异。在某些实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在膜生长方面的差异来形成掩模。在其他实施例中，利用非晶硅与晶体硅之间在反射率或光吸收性的差异来形成掩模。在其他实施例中，则利用经掺杂的硅与未经掺杂的硅的特性差异来形成掩模。
专利类型：发明
专利号：
201080055181.8专利申请日：
2010.11.02公开（公告）号：
公开（公告）日：
2012.09.12分类号：
申请（专利权）人：
瓦里安半导体设备公司发明（设计）人：
尼可拉斯·P·T·贝特曼;海伦·L·梅纳德;班杰明·B·里欧登;克里斯多夫·R·汉特曼;迪帕克·瑞曼帕国别省市：
美国;US
