太阳能电池单元及其制造方法 CN201080067350.X

具备：第1导电类型的半导体基板（2），在一面侧具有扩散有第2导电类型的杂质元素的杂质扩散层（3）；受光面侧电极（5），与所述杂质扩散层（3）电连接地形成于所述半导体基板（3）的一面侧；以及背面侧电极（7），形成于所述半导体基板（2）的另一面侧，在包括所述杂质扩散层（3）的所述半导体基板（2）的一面侧中的形成了所述受光面侧电极（5）的受光面侧电极形成区域，具备具有四角锥形状的第1凸部的第1凹凸构造，在包括所述杂质扩散层（3）的所述半导体基板（2）的一面侧中的未形成所述受光面侧电极（5）的区域，具备具有比所述第1凸部大的四角锥形状的第2凸部的第2凹凸构造。
专利类型：发明
专利号：201080067350.X
专利申请日：2010.06.25
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.03.6
分类号：
申请（专利权）人：三菱电机株式会社
发明（设计）人：唐木田昇市
国别省市：日本;JP