Si衬底的四结级联太阳能电池及其制备方法 CN201310219216.2

　
本发明涉及半导体技术领域，尤其是指一种四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGaAsP/InGaAs双结电池、GaInP/GaAs双结电池在Si衬底上形成串联。本发明还提供这种太阳能电池的制备方法。本发明采用Si衬底作为支撑衬底具有良好的机械强度。同时，采用了键合后再正装生长薄层的双结电池的方式，且GaAs与InP薄层键合方法实现了四结电池的晶格匹配生长，相比晶格失配生长，材料的晶体质量有所保证。
专利号：201310219216.2
专利申请日：2013.06.04
公开（公告）日：2013.10.09
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
国别省市：江苏;32