多结III-V太阳能电池及其制造方法 CN201410010911.2

本发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III-V太阳能电池结构的制造技术。所述硅电池的开路电压可以通过局部背表面场结构、局部背接触或基于非晶硅的异质结背接触来增强。
专利类型：发明
专利号：201410010911.2
专利申请日：2014.01.09
公开（公告）日：2014.07.16
申请（专利权）人：国际商业机器公司
发明（设计）人：S·W·比德尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨达那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪
国别省市：美国;US