一种浅结太阳能电池的制备工艺 CN201210532153.1

本发明公开了一种浅结太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：a、将硅片清洗，去损伤层，制绒；b、在硅片表面喷涂磷酸；c、将硅片放入链式扩散炉中，进行扩散；d、将扩散后的硅片去除磷硅玻璃并刻蚀掉表面死层；e、在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层；f、丝网印刷背电极和正面电极或者电镀正面电极；g、烧结并测试分选。这种浅结太阳能电池的制备工艺保证在浅结的基础上，方阻均匀分布，具有很低的发射极饱和电流密度，显著提高太阳能电池的短波响应，提高太阳能电池的开路电压和短路电流。
专利类型：发明
专利号：201210532153.1
专利申请日：2012.12.12
公开（公告）号：
公开（公告）日：2013.3.13
分类号：
申请（专利权）人：泰州德通电气有限公司
发明（设计）人：初仁龙
国别省市：江苏;32