背面抛光结构单晶硅太阳能电池的制备方法 CN201410043107.4
本发明的背面抛光结构单晶硅太阳能电池的制备方法，包括：采用高浓度碱溶液对硅片进行抛光处理，在硅片的正面和背面均形成抛光结构；在硅片的背面形成一层掩膜；采用低浓度碱溶液对硅片进行制绒，在掩膜的保护下，只在硅片的正面形成金字塔绒面结构；对硅片进行扩散前清洗，去除掩膜，保留硅片背面的抛光结构；对硅片表面进行磷扩散形成N+层；以及电极的制备。本发明的方法可以简便有效地制备出背面抛光结构单晶硅太阳能电池，并进一步提高太阳能电池的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：
201410043107.4专利申请日：
2014.01.29公开（公告）日：
2014.04.23申请（专利权）人：
北京七星华创电子股份有限公司发明（设计）人：
张勤杰;杜飞龙;傅建奇;李秀青;华永云国别省市：
北京;11
