全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法 CN201410042959.1

本发明的全铝掺杂N型太阳能电池的制备方法，包括：提供一个N型半导体衬底；在N型半导体衬底正面形成N+层；在N+层上形成氮化硅薄膜；在N型半导体衬底背面形成全铝背场；在氮化硅薄膜上制备正电极；对N型半导体衬底进行高温烧结，使正电极与N+层相接触，并在N型半导体衬底背面形成P型层；在全铝背场表面制备背电极；低温烧结背电极。本发明的制备方法，采用全背场网版进行印刷，经高温烧结能够形成良好的PN结，从而提高了太阳能电池的光电性能；经过低温烧结制备出背电极，克服了传统银铝背电极只能在高温下完成烧结的问题，由于背电极烧结深度低，不会对PN结产生影响，能够进行后期组件焊接，且符合组件加工力学性能指标。
专利类型：发明
专利号：201410042959.1
专利申请日：2014.01.29
公开（公告）日：2014.04.23
申请（专利权）人：北京七星华创电子股份有限公司
发明（设计）人：傅建奇;张勤杰;李秀青;华永云;顾生刚
国别省市：北京;11