含Bi热光伏电池的结构及其制备方法 CN201310244093.8

　
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是提供一种热光伏电池的结构，其包括生长在InP衬底上并与所述InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yBiy电池，所述InxGa1-xAs1-yBiy电池的禁带宽度为0.21～0.73eV。本发明还提供这种热光伏电池的制备方法。本发明采用与InP晶格匹配的InGaAsBi作为有源区材料；InGaAsBi覆盖禁带宽度为0.21～0.73eV，可针对特定的辐射源，优化带隙，获得更高的转换效率，能够满足热光伏系统的要求。
专利号：201310244093.8
专利申请日：2013.06.19
公开（公告）日：2013.10.02
申请（专利权）人：china科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明（设计）人：赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
国别省市：江苏;32