高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法 CN201410274668.5

本发明涉及晶体硅太阳能电池制造技术，具体是一种高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池及其制造方法。该高转化效率抗PID晶体硅太阳能电池包括有硅衬底、沉积在硅衬底上的氧化硅膜层、沉积在氧化硅膜层上的一层或多层氮化硅膜层、沉积在氮化硅膜层上的氮氧化硅膜层；所述氧化硅膜层的膜厚为1-10nm；所述一层或多层氮化硅膜层的总厚度为60nm-100nm、折射率为2.0-2.4；所述氮氧化硅膜层的膜厚为10nm-150nm、折射率为1.5-2.0。本发明能够提高晶体硅太阳能电池的转化效率，并且也具有抗PID的作用。
专利类型：发明
专利号：201410274668.5
专利申请日：2014.06.18
公开（公告）日：2014.10.08
申请（专利权）人：镇江大全太阳能有限公司
发明（设计）人：张良
国别省市：江苏;32