一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法 CN201310192233.1

本发明提供一种晶体硅/硅基薄膜叠层电池的制备方法，该方法包括以下步骤：在n型硅片上形成硼（Boron）扩散p层；除边隔离，并去除硼硅玻璃；在所述B扩散层上形成n-i-p结构；在所述n型硅片的背面沉积第二非晶硅n型层；在所述n-i-p结构上形成第一掺硼氧化锌薄膜，在所述第二非晶硅n型层上形成第二掺硼氧化锌薄膜；在所述n型硅片的背面形成背电极，在所述n型硅片的正面形成正电极。采用本发明提供的制备方法，工艺简单，生产成本低，且得到的太阳能电池具有良好的光陷作用和较高的光电转换效率。
专利类型：发明
专利号：201310192233.1
专利申请日：2013.05.21
公开（公告）日：2013.09.11
申请（专利权）人：浙江正泰太阳能科技有限公司
发明（设计）人：牛新伟;刘石勇;韩玮智;胡金艳;张华;朱永敏;冯涛;蒋前哨;胡朋达;金建波;陆川;仇展炜
国别省市：浙江;33