太阳能电池背面钝化方法 CN201510104406.9
本发明公开了一种太阳能电池背面钝化方法，对太阳能电池的背面采用Al2O3/SiO2/高硅含量SiNx/低硅含量SiNx的四层叠层钝化膜进行钝化，通过增加SiO2层的沉积，可以有效消除高硅含量SiNx固定正电荷的影响，降低Al2O3的最小厚度，高硅含量的SiNx可以继续保证对硅表面的氢钝化效果，而利用低硅含量的SiNx可以防止铝烧结过程中对内层膜的侵蚀，可实现钝化膜总厚度的明显降低，进一步提高产能，节约工艺总成本，并符合规模化生产的要求。
专利类型：发明
专利号：
201510104406.9专利申请日：
2015.03.10公开（公告）日：
2015.06.10申请（专利权）人：
北京七星华创电子股份有限公司发明（设计）人：
张勤杰; 傅建奇; 李建国; 张燕;国别省市：
北京;11
